Advanced Thermoelectric Materials and
Green Energy Laboratory

賽貝克係數與電導率變溫量測系統

ZEM-3可針對金屬及半導體塊材材料，在變溫(室溫至800℃)下同時量測材料的電阻係數(ρ)及賽貝克係數(S)，
量測時材料置於微量6N惰性氦氣環境中，以避免高溫量測時產生樣品產生氧化反應，亦可保護電極與熱電耦；通入高純度氦氣也可增加熱傳導，使腔體溫度保持一致。

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儀器設備說明

廠牌及型號：  日本ULVAC-RIKO ZEM-3。

重要規格：  

『熱電性希貝克係數與半導體化合物材料電導率變溫量測系統』主要規格如下

•     可量測變溫範圍為50℃~800℃。

•     可設定之溫度間距最大為125℃。

•     可量測材料尺寸為直徑(或邊長)2~4mm、長度6~22mm 之長柱體或圓柱體。

•     具兩組變溫式PID電腦控制系統(RS232C)。

•     具6支以上之鋁材質反射鏡和紅外線聚溫加熱鎢管，長度為5 吋以上，可加熱長度至少140釐米，總長度至少235釐米。

•     承上，加熱鎢管於加熱後1小時能迅速從800℃降溫至接近室溫，達成高效率量測，變溫梯度於材料兩端最大可達50℃。

•     具探針式溫度感測器：使用有鋁管材質保護的R型熱電偶接觸樣品表面，同時使用熱電偶中的白金導線量測電位差，

•     承上，以彈簧式的溫度探針測量電壓差及溫度差，且其間距可調整為4釐米、6釐米或 8釐米。

•     電極:具上下兩端之鎳製(Ni-based)電極。

•     加熱主腔體需採用無塵室等級高純度高氣密性抗汙石英管。

主要附件：

•      電路系統為交流加熱電源，具數位式電錶接收不同溫度下之量測訊號數值，且解析度需至10nV/200mV。

•      氣壓控制系統：迴轉式真空幫浦20L/min，幫浦需可達壓力10-2 Torr，且含洩壓閥和排氣端油霧捕捉器及壓力計。

•      操作監視介面：電腦PC/AT、通訊GP-IB/RS-232C、及數據量測軟體。

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• 若試片未做必要前處理、或前處理不當，有導致試樣中水分、高揮發性物質、具腐蝕性物質或毒性物質逸出，污染本機台之可能性時，本中心無法提供服務。

• 特殊服務或易分解之不穩定樣品請事先預約排定時間。​

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